选型手册

氮化镓射频功率晶体管

能讯氮化镓功放管产品在宽带信号下输出高效率和高增益，应用简单，适合LTE、4G、5G等移动通信的超宽带功放应用。

产品型号	工作频率（GHz）	饱和功率（W）	功率增益（dB）	效率（%）	供电电压（V）	封装
DXG1PH60B-10N	DC-6.0	10	21.5	73.0	48	DFN4×4mm
DXG1PH60B-7N	DC-6.0	7	22.0	73.0	48	DFN4×4mm
DXG1CH60B-65DF	DC-6.0	65	20.7	75.8	48	360F1,Single-ended
DXG1CH60B-65CF	DC-6.0	65	20.7	75.8	48	360P1,Single-ended
DXG1CH60B-50DF	DC-6.0	50	20.8	76.0	48	200F1,Single-ended
DXG1CH60B-50CF	DC-6.0	50	20.8	76.0	48	200P1,Single-ended
DXG1CH60B-35DF	DC-6.0	35	18.4	76.8	48	200F1,Single-ended
DXG1CH60B-35CF	DC-6.0	35	18.4	76.8	48	200P1,Single-ended

备注：上表中的“功率”为设计标称功率，“功率”为漏极最大功率，“增益”为漏极最大功率点对应的增益。
测试条件：上述指标基于供电电压48V，脉宽100us，10%占空比脉冲所得。产品亦可应用于其他工作电压（如28V）。

氮化镓管芯

能讯氮化镓HEMT管芯可支持客户DC-6GHz以内的超宽带应用，功率密度、效率及可靠性业内领先，适合应用于紧凑型射频放大模块、通用或个人通讯子系统。

产品型号	工作频率（GHz）	饱和功率（W）	功率增益（dB）	效率（%）	供电电压（V）
DXG1H007DE3	DC-6G	7 @2.6 GHz	25.2 @2.6 GHz	84 @2.6 GHz Psat	48
DXG1H010DE1	DC-6G	10 @2.6 GHz	25.0 @2.6 GHz	84 @2.6 GHz Psat	48
DXG1H020DE1	DC-6G	20 @2.6 GHz	24.5 @2.6 GHz	83 @2.6 GHz Psat	48
DXG1H030DE1	DC-6G	30 @2.6 GHz	24.0 @2.6 GHz	83 @2.6 GHz Psat	48
DXG1H035DD1	DC-6G	35 @2.6 GHz	24.5 @2.6 GHz	82 @2.6 GHz Psat	48
DXG1H040DE1	DC-6G	40 @2.6 GHz	23.5 @2.6 GHz	82 @2.6 GHz Psat	48
DXG1H050DD1	DC-6G	50 @2.6 GHz	23.5 @2.6 GHz	82 @2.6 GHz Psat	48
DXG1H065DD1	DC-6G	65 @2.6GHz	24.1 @2.6GHz	81 @2.6GHz Psat	48
DXG1H080DD1	DC-6G	80 @2.6 GHz	23.2 @2.6 GHz	80 @2.6 GHz Psat	48
DXG1H095DD1	DC-6G	95 @2.6 GHz	22.7 @2.6 GHz	80 @2.6 GHz Psat	48
DXG1H110DD1	DC-6G	110 @2.6 GHz	22.6 @2.6 GHz	78 @2.6 GHz Psat	48
DXG1H125DD1	DC-6G	125 @2.6 GHz	22.6 @2.6 GHz	77 @2.6 GHz Psat	48
DXG1H150DD1	DC-6G	150 @2.6 GHz	22.7 @2.6 GHz	76 @2.6 GHz Psat	48
DXG1H175DD1	DC-6G	175 @2.6 GHz	21.2 @2.6 GHz	74 @2.6 GHz Psat	48
DXG1H200DD1	DC-6G	200 @2.6 GHz	21.5 @2.6 GHz	73 @2.6 GHz Psat	48
DXG1H240DD1	DC-6G	240 @2.6 GHz	20.8 @2.6 GHz	72 @2.6 GHz Psat	48
DXG1H320DD1	DC-6G	320 @2.6 GHz	19.3 @2.6 GHz	70 @2.6 GHz Psat	48

备注：上表中的“功率”为设计标称功率，“功率”为漏极最大功率，“增益”为漏极最大功率点对应的增益。
测试条件：上述指标基于供电电压48V，脉宽100us，10%占空比脉冲所得。产品亦可应用于其他工作电压（如28V）。

应用文档

AN_01-GaN HEMT 芯片封装指南(V02)

AN_02-GaN HEMT 功放管使用指南(V03)

AN_05-GaN HEMT 热特性使用指南(V02)

AN_09-Dynax 射频产品命名规则说明(V02)

AN_10-Dynax 射频产品Marking code命名规则说明(V02)

AN_11-GaN HEMT 管芯自吸式Tray包装拆卸及管芯取用操作指南(V01)

AN_12-GaN HEMT 管芯非自吸式Tray包装拆卸及管芯取用操作指南(V01)

AN_13-基于Keysight ADS软件的大信号模型使用指南(V01)