能讯半导体材料部门一直致力于氮化镓材料、氮化镓异质结HEMT结构材料外延生长的研究、开发与生产。由欧美归国的资深材料生长专家带领,依托拥有自主知识产权的专利技术及先进的材料生长、检测设备,能讯半导体生长的氮化镓材料,在物理(表征、缺陷密度等)及电学性能方面均处于世界领先水平。其在硅、蓝宝石、碳化硅基生长的氮化镓外延结构完全可以满足微波功率器件及电力电子器件的应用需求。