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        1. 制造能力
          工艺制造

                 苏州能讯高能半导体有限公司一直专注于针对先进的氮化镓半导体制造技术的研究、创新与开发。通过多年的研发,能讯半导体拥有一整套有自主知识产权、国内领先、世界先进的氮化镓半导体工艺制造技术。

                 先进、稳定、可靠的工艺技术在保证能讯半导体过硬的生产制造能力的同时,也确保了我们微波功率器件和电力电子器件产品卓越的性能及过硬的可靠性。

          Sub-micro Gate technology (stepper)-亚微米栅极技术:
                 能讯半导体自主研发的亚微米栅极技术包括:Stepper光刻,低损伤栅槽钝化层刻蚀,栅极金属沉积等。其具有高重复性、高成品率、低栅极损伤等特点,是氮化镓微波功率器件最关键的技术之一。

          独有的钝化层技术:
                 高质量的钝化层是提高氮化镓器件耐压性能,降低Dispersion效应的重要方法。

          衬底减薄VIA通孔技术:
                 能讯半导体自主开发的SiC衬底减薄和VIA通孔技术可有效地降低器件寄生电感,增大高频增益,提高带宽。

                 以上仅列举了几项较有特点的制造工艺技术。能讯半导体先进的、完整的氮化镓半导体器件制造工艺是我们高质量产品的保障,也是产品不断升级换代的基础和源动力。

           

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